江蘇卓勝微電子股份有限公司
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射頻開關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用3G/4G/5G的手機(jī)射頻前端,射頻開關(guān)的作用是將多路射頻信號(hào)中的任一路或幾路通過控制邏輯連通,以實(shí)現(xiàn)不同信號(hào)路徑的切換,包括接收與發(fā)射的切換、不同頻段間的切換等,以達(dá)到共用天線、節(jié)省終端產(chǎn)品成本的目的。射頻開關(guān)的主要產(chǎn)品種類有移動(dòng)通信傳導(dǎo)開關(guān)、WiFi開關(guān)、天線開關(guān)等,廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)等移動(dòng)智能終端。
1、射頻開關(guān)采用相關(guān)發(fā)明專利技術(shù)
射頻開關(guān)產(chǎn)品通過利用TowerJazz Tps90rs的工藝特性,并利用自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的負(fù)壓電路和創(chuàng)新性的開關(guān)結(jié)構(gòu),通過電路仿真,版圖寄生仿真,封裝和系統(tǒng)各級(jí)仿真充分保證設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性,同時(shí)通過測(cè)試芯片和對(duì)工藝的驗(yàn)證,修正電路和參數(shù),從而最終達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)的最優(yōu)化。
2、射頻開關(guān)工藝路線
⑴工藝路線
射頻開關(guān)采用以色列TowerJazz 65nm SOI工藝,我公司為全球首家采用該最先進(jìn)SOI工藝的公司。
①其Ron*Coff=90fs,具有最優(yōu)的低插損特性。
②breakdown電壓超過4V,可以承受高功率。
⑵IPD(集成產(chǎn)品開發(fā))采用TSMC(臺(tái)積電)代工
①高阻硅襯底工藝,電路與地之間具有5K級(jí)方塊電阻率,減少了損耗,為無源元件提供高Q值。
②十字型疊層結(jié)構(gòu),相對(duì)于傳統(tǒng)的工字型及其他疊層結(jié)構(gòu)更好的控制趨膚效應(yīng),減小損耗,為電感提供更高的Q值。
⑶先進(jìn)封裝工藝
①低介電常數(shù)(Dk)&介電損耗(Df)樹脂技術(shù),采用的Dk=3.5,Df=0.0046。低介電常數(shù)(Dk)樹脂技術(shù),樹脂與信號(hào)放大器間提高結(jié)合力以降低表面?zhèn)鬏敁p耗;傳輸損耗與介電損耗成比例相關(guān),低介電材料可以降低傳輸損耗。
3、射頻開關(guān)主要產(chǎn)品及性能參數(shù)
①接受通路開關(guān),主要應(yīng)用于下行接受信號(hào),耐受功率一般30dBm 左右。
②發(fā)射通路開關(guān),主要應(yīng)用于上行發(fā)射信號(hào),耐受功率一般36~40dBm左右。
③天線調(diào)諧開關(guān),主要應(yīng)用于天線匹配,與頻率調(diào)諧,一般為電壓指標(biāo),折算成功率,耐受功率一般43~48dBm。