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射頻開關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用3G/4G/5G的手機(jī)射頻前端，射頻開關(guān)的作用是將多路射頻信號(hào)中的任一路或幾路通過控制邏輯連通，以實(shí)現(xiàn)不同信號(hào)路徑的切換，包括接收與發(fā)射的切換、不同頻段間的切換等，以達(dá)到共用天線、節(jié)省終端產(chǎn)品成本的目的。射頻開關(guān)的主要產(chǎn)品種類有移動(dòng)通信傳導(dǎo)開關(guān)、WiFi開關(guān)、天線開關(guān)等，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)等移動(dòng)智能終端。

1、射頻開關(guān)采用相關(guān)發(fā)明專利技術(shù)

射頻開關(guān)產(chǎn)品通過利用TowerJazz Tps90rs的工藝特性，并利用自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的負(fù)壓電路和創(chuàng)新性的開關(guān)結(jié)構(gòu)，通過電路仿真，版圖寄生仿真，封裝和系統(tǒng)各級(jí)仿真充分保證設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性，同時(shí)通過測(cè)試芯片和對(duì)工藝的驗(yàn)證，修正電路和參數(shù)，從而最終達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)的最優(yōu)化。

2、射頻開關(guān)工藝路線

⑴工藝路線

射頻開關(guān)采用以色列TowerJazz 65nm SOI工藝，我公司為全球首家采用該最先進(jìn)SOI工藝的公司。

①其Ron*Coff=90fs，具有最優(yōu)的低插損特性。

②breakdown電壓超過4V，可以承受高功率。

⑵IPD（集成產(chǎn)品開發(fā)）采用TSMC（臺(tái)積電）代工

①高阻硅襯底工藝，電路與地之間具有5K級(jí)方塊電阻率，減少了損耗，為無源元件提供高Q值。

②十字型疊層結(jié)構(gòu)，相對(duì)于傳統(tǒng)的工字型及其他疊層結(jié)構(gòu)更好的控制趨膚效應(yīng)，減小損耗，為電感提供更高的Q值。

⑶先進(jìn)封裝工藝

①低介電常數(shù)(Dk)&介電損耗（Df)樹脂技術(shù)，采用的Dk=3.5，Df=0.0046。低介電常數(shù)(Dk)樹脂技術(shù)，樹脂與信號(hào)放大器間提高結(jié)合力以降低表面?zhèn)鬏敁p耗；傳輸損耗與介電損耗成比例相關(guān),低介電材料可以降低傳輸損耗。

3、射頻開關(guān)主要產(chǎn)品及性能參數(shù)

①接受通路開關(guān)，主要應(yīng)用于下行接受信號(hào)，耐受功率一般30dBm 左右。

②發(fā)射通路開關(guān)，主要應(yīng)用于上行發(fā)射信號(hào)，耐受功率一般36~40dBm左右。

③天線調(diào)諧開關(guān)，主要應(yīng)用于天線匹配，與頻率調(diào)諧，一般為電壓指標(biāo)，折算成功率，耐受功率一般43~48dBm。