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超結(jié)功率 MOSFET

服務(wù)價(jià)格:待定

服務(wù)機(jī)構(gòu):南京華瑞微集成電路有限公司

服務(wù)地區(qū):南京市浦口區(qū)江浦街道浦濱大道88號

服務(wù)范圍:電子信息產(chǎn)業(yè)鏈 高端裝備制造集群

服務(wù)類別:技術(shù)創(chuàng)新和質(zhì)量品牌服務(wù)

南京華瑞微集成電路有限公司

所在地市:江蘇省,南京市,浦口區(qū)

機(jī)構(gòu)地址:南京市浦口區(qū)江浦街道浦濱大道88號

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電 話:18855201443

  • 詳細(xì)介紹

    HRmicro推出的第二代、第三代超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品,打破了傳統(tǒng)平面VDMOS的硅極限,使得導(dǎo)通電阻與擊穿電壓的關(guān)系得到了極大的改進(jìn),由傳統(tǒng)的2.5次方變?yōu)榫€性關(guān)系,極大的優(yōu)化了器件的品質(zhì)因數(shù)FOM(Rdson*Qg),比傳統(tǒng)VDMOS具有更快的開關(guān)速度,更低的開關(guān)損耗,更優(yōu)的轉(zhuǎn)換效率;第二代及第三代超結(jié)MOSFET分別針對性的優(yōu)化了EMI特性、產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻特性,同時(shí),也帶來了DFN 8*8、TO-247等多種多樣的封裝形式,全面適用于照明應(yīng)用、各類電源、適配器、手機(jī)、電腦等多種應(yīng)用場景; 第二代及第三代超結(jié)同時(shí)推出了快恢復(fù)系列產(chǎn)品,極大的縮短了超結(jié)MOSFET的反向恢復(fù)時(shí)間,提高了反向恢復(fù)能力,降低了反向恢復(fù)損耗,適用于半橋、全橋等拓?fù)潆娐分校蓱?yīng)用于各種大功率電源、充電樁等產(chǎn)品中。


  • 專利介紹
  • 專業(yè)團(tuán)隊(duì)
  • 研究方向
  • 專業(yè)資質(zhì)
  • 榮譽(yù)
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