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HRmicro推出的第二代、第三代超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品，打破了傳統(tǒng)平面VDMOS的硅極限，使得導(dǎo)通電阻與擊穿電壓的關(guān)系得到了極大的改進(jìn)，由傳統(tǒng)的2.5次方變?yōu)榫€性關(guān)系，極大的優(yōu)化了器件的品質(zhì)因數(shù)FOM（Rdson*Qg），比傳統(tǒng)VDMOS具有更快的開關(guān)速度，更低的開關(guān)損耗，更優(yōu)的轉(zhuǎn)換效率；第二代及第三代超結(jié)MOSFET分別針對性的優(yōu)化了EMI特性、產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻特性，同時(shí)，也帶來了DFN 8*8、TO-247等多種多樣的封裝形式，全面適用于照明應(yīng)用、各類電源、適配器、手機(jī)、電腦等多種應(yīng)用場景； 第二代及第三代超結(jié)同時(shí)推出了快恢復(fù)系列產(chǎn)品，極大的縮短了超結(jié)MOSFET的反向恢復(fù)時(shí)間，提高了反向恢復(fù)能力，降低了反向恢復(fù)損耗，適用于半橋、全橋等拓?fù)潆娐分校蓱?yīng)用于各種大功率電源、充電樁等產(chǎn)品中。