南京華瑞微集成電路有限公司
所在地市:江蘇省,南京市,浦口區(qū)
機(jī)構(gòu)地址:南京市浦口區(qū)江浦街道浦濱大道88號(hào)
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采用電荷平衡原理,使得N型漂移區(qū)即使在較高摻雜濃度的情況下也能實(shí)現(xiàn)較高的擊穿電壓,從而獲得較低的導(dǎo)通電阻,打破傳統(tǒng)功率MOSFET的硅極限。 HRmicro SGT產(chǎn)品具有柵漏電容(Cgd)小,開(kāi)關(guān)損耗低 ,優(yōu)值(FOM)低,抗大電流沖擊能力(EAS)強(qiáng)等特點(diǎn),結(jié)合先進(jìn)的封裝技術(shù)增加了源極金屬的接觸面積,減少封裝寄生電阻,增強(qiáng)了器件高溫工作狀態(tài)下的散熱性能。