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該產品采用壓力連接，封接氣密性≤1×10-9 Pam/s，可適應潮濕、鹽霧等極端工作環(huán)境，徹底解決了用焊接和鍵合工藝引出電極的IGBT模塊抗沖擊振動、絕緣、散熱和耐疲勞差的技術難題。

全壓接平板多臺架IGBT陶瓷管殼具有多臺架結構，便于IGBT芯片和FRD芯片的并聯(lián)和反并聯(lián)，易于大電流IGBT的制造。其芯片不用焊接和鍵合工藝，全部用壓力連接(簡稱全壓接)方式引出發(fā)射極、集電極和柵極。電極引出牢固，提高了抗沖擊振動、雙面散熱和耐疲勞的能力。因無焊料，不存在“熱-機械”應力，所以功率循環(huán)與熱循環(huán)能力更好。并采用可冷壓焊的陶瓷外殼替代了硅凝脂、環(huán)氧樹脂的密封方法，使得IGBT模塊具有優(yōu)越的密封性能，封接氣密性≤1×10-9 Pam/s，可以很好地適應潮濕、鹽霧等極端惡劣工作環(huán)境。在平板IGBT模塊中，省掉了IGBT芯片與電極間的鋁絲，縮短了芯片與電極間的電流通路并增大了兩者之間的接觸面積，大大減少了內部的分布電感，使得IGBT器件的高頻特性會更好；壓接型封裝絕緣特性更好，使其適合高壓IGBT的封裝。